而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！21世纪展现良好发展前景的纳米技术，贵金属由于它们的独特优异的物理化学性能，资源的稀缺性以及在已知的传统产业领域的不断扩大应用和在未知领域的不断开拓探索，成为纳米技术早和相当重要的研究对象之一。导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。在微孔孔径较大的发泡辊筒中，色粉进入辊筒的微孔内不易去除，所以存在图像混乱的问题。
超纯金属的检测方法极为困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级（10克/克）、毫微克级（10克/克）、微微克级（10克/克）杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，质谱分析，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起显著影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。当通过用紫外线照射其表面或者使其暴露于臭氧中，使导电橡胶辊的表面上形成氧化膜时，导电橡胶辊表面的氧浓度变得较高。
钨-钛靶材作为光伏电池镀膜材料是近发展起来的，它作为第三代太阳能电池的阻挡层是佳选择。
由于 W-Ti 系列薄膜具有非常优良的性能，近几年来应用量急剧增加，2008年W-Ti 靶材世界用量已达到400t，随着光伏产业的发展，这种靶材的需求量会越来越大。具行业预测其用量还会有很大的增加。国际太阳能电池市场以的速度增长，目前世界有30 多公司参与太阳能市场的进一步开发， 并已有的公司产品投入市场。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。
1：金属镀钯，镀钯铜提钯技术：首先把镀钯铜等表面镀钯料放入容器中，再加入自配退钯溶液，数秒中后表面钯退净，取出镀钯铜基体(此方法对基体无伤害,再用自配化学试剂，钯和溶液分离
2：合金含钯，铜钯合金提钯技术：把铜钯合金放入容器中，加入自配化学品把铜钯合金溶解成液体，再用自配化学试剂把钯和溶液分离。
3：废钯碳催化剂提钯，首先用物理原理把碳等有机物去除，剩下金属钯，再用化学试剂溶解金属钯，再进行下一步钯分离。
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